USB短路保护 (USCP) 模块分析
一、模块概述
1.1 功能定位
uscp (USB Short Circuit Protect) 是华为 MATE X5 的 USB接口短路保护模块，主要功能是：
- 短路检测：通过温差算法检测USB接口短路故障
- 双重隔离：MOSFET开关 + HIZ模式双重切断充电路径
- 智能监测：充电初期高频监测 (300ms)，稳定后低频监测 (10s)
- 直充协同：与直充系统联动，安全停止大功率充电
- DMD上报：短路事件自动上报故障码
- 唤醒锁保护：短路期间持有wakelock防止系统休眠
1.2 核心原理
短路检测算法：USB接口短路时会产生异常发热，导致USB温度与电池温度差异剧增
正常充电: T_usb - T_bat ≤ 5-10°C
短路故障: T_usb - T_bat ≥ 15-25°C (快速升温)1.3 设计目标
- 安全保护：防止USB接口短路导致烧毁或起火
- 快速响应：充电初期30秒密集检测，300ms一次
- 多级防护：HIZ模式 + MOSFET开关 + 直充停止
- 用户无感：正常充电时不影响性能，异常时自动处理
二、核心架构
2.1 模块结构图
┌────────────────────────────────────────────────────────┐
│ USCP 短路保护模块 │
├────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 初始化层 │
│ ├─ probe: DTS解析 + GPIO配置 │
│ ├─ uscp_check_enable: 温度合法性检查 │
│ └─ power_event监听注册 │
├────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 事件管理层 │
│ ├─ notifier_call: 充电事件响应 │
│ │ ├─ CHARGING_START → 延迟2s启动start_work │
│ │ └─ CHARGING_STOP → 延迟2s启动start_work │
│ └─ start_work: 充电器类型判断 → 启动check_work │
├────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 监测控制层 (check_work核心逻辑) │
│ ├─ 温度采集 │
│ │ ├─ uscp_get_usb_temp: USB接口温度 │
│ │ ├─ uscp_get_bat_temp: 电池温度 │
│ │ └─ diff_usb_bat: 计算温差 │
│ ├─ 短路判断 (check_temperature) │
│ │ ├─ tusb≥40°C && tdiff≥open_hiz_temp → HIZ模式 │
│ │ └─ tusb≥40°C && tdiff≥open_mosfet_temp → 开MOSFET │
│ ├─ 监测频率调整 (set_interval) │
│ │ ├─ tdiff > switch_temp → 快速300ms │
│ │ ├─ 充电前30s: 密集检测1100次 │
│ │ └─ 稳定后: 慢速10s │
│ └─ 保护执行 (process_protection) │
│ ├─ 启用HIZ模式 │
│ ├─ 停止直充 (DC) │
│ ├─ 断开MOSFET │
│ └─ 恢复充电路径 │
├────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 保护执行层 │
│ ├─ uscp_set_gpio_switch: 控制MOSFET (GPIO/Pinctrl) │
│ ├─ power_platform_set_charge_hiz: 控制HIZ模式 │
│ └─ dc_set_adapter_output_enable: 关闭直充适配器 │
├────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 故障诊断层 │
│ ├─ uscp_dmd_report: DMD上报 │
│ │ ├─ NTC异常 (温度超出-30~100°C) │
│ │ ├─ 短路保护 (MOSFET断开) │
│ │ └─ HIZ保护 (充电HIZ模式) │
│ └─ power_dbg接口: 运行时参数调试 │
└────────────────────────────────────────────────────────┘2.2 短路检测流程
充电启动事件
↓
延迟2s启动start_work
↓
判断充电器类型 (SDP/DCP/FCP/SCP/PD/TypeC)
↓
启动check_work周期任务
↓
┌──────────────────────────────────────────┐
│ 循环监测流程 (300ms/10s周期) │
│ 1. 采集温度: T_usb, T_bat │
│ 2. 计算温差: T_diff = T_usb - T_bat │
│ 3. 短路判断: │
│ if (T_usb≥40 && T_diff≥open_hiz) │
│ → 启用HIZ模式 (轻微短路) │
│ if (T_usb≥40 && T_diff≥open_mosfet) │
│ → 停止直充 + 开MOSFET (严重短路) │
│ 4. 频率调整: │
│ if (T_diff > switch_temp) │
│ → 300ms快速监测 │
│ elif (充电前30s内) │
│ → 300ms密集监测1100次 │
│ else │
│ → 10s慢速监测 │
│ 5. 恢复判断: │
│ if (T_diff ≤ close_mosfet_temp) │
│ → 关闭MOSFET + 禁用HIZ │
└──────────────────────────────────────────┘
↓
充电停止事件 → 清零状态 + 停止监测三、关键数据结构
3.1 温度信息结构
c
struct uscp_temp_info {
int bat_temp; // 电池温度 (°C)
int usb_temp; // USB接口温度 (°C)
int diff_usb_bat; // 温差 (°C)
};3.2 设备管理结构
c
struct uscp_device_info {
// 工作队列
struct delayed_work start_work; // 启动延迟任务 (2s)
struct delayed_work check_work; // 周期检测任务
// GPIO控制
int gpio_uscp; // MOSFET控制GPIO
bool use_pinctrl; // 是否使用Pinctrl
// 温度阈值参数
int uscp_threshold_tusb; // USB温度阈值 (默认40°C)
int open_mosfet_temp; // 开MOSFET温差阈值 (如15°C)
int open_hiz_temp; // 开HIZ温差阈值 (如12°C)
int close_mosfet_temp; // 关MOSFET温差阈值 (如5°C)
int interval_switch_temp; // 切换快速监测温差 (如8°C)
// 监测控制参数
int check_interval; // 当前监测间隔 (300ms/10s/30s)
int check_count; // 密集监测计数器 (1100→0)
// 状态标志
bool protect_enable; // 保护功能使能
bool protect_mode; // 是否处于保护模式
bool rt_protect_mode; // 实时保护模式 (对外接口)
bool hiz_mode; // 是否处于HIZ模式
bool first_in; // 首次检测标志
bool dc_adapter; // 直充适配器状态
// DMD上报控制
int dmd_hiz_enable; // HIZ DMD使能
bool dmd_notify_enable; // MOSFET DMD使能
bool dmd_notify_enable_hiz; // HIZ DMD通知使能
// 唤醒锁
struct wakeup_source *protect_wakelock;
};四、核心算法实现
4.1 温度差异算法
原理：USB短路时会在接口处产生异常热量，导致USB温度远高于电池温度
算法逻辑：
c
// 1. 采集温度
usb_temp = power_temp_get_average_value(POWER_TEMP_USB_PORT) / 1000;
bat_temp = bat_temp_get_temperature(BAT_TEMP_MIXED);
diff_temp = usb_temp - bat_temp;
// 2. 短路判断 (多级保护)
if (usb_temp >= 40°C) {
// 轻度短路: 启用HIZ模式限制充电
if (diff_temp >= open_hiz_temp) { // 如12°C
enable_charge_hiz();
dmd_report(HIZ_PROTECT);
}
// 重度短路: 完全断开充电路径
if (diff_temp >= open_mosfet_temp) { // 如15°C
stop_direct_charge(); // 停止直充
open_mosfet_switch(); // 断开MOSFET
enable_charge_hiz(); // 启用HIZ
hold_wakelock(); // 持有唤醒锁
dmd_report(MOSFET_PROTECT);
}
}
// 3. 恢复判断
if (diff_temp <= close_mosfet_temp) { // 如5°C
close_mosfet_switch(); // 闭合MOSFET
disable_charge_hiz(); // 禁用HIZ
release_wakelock(); // 释放唤醒锁
}4.2 自适应监测频率
目的：充电初期高频监测快速响应，稳定后低频监测节省功耗
算法示意：
充电器插入
↓
count = 1100 (初始值)
↓
┌─────────────────────────────────┐
│ 前30秒密集监测阶段 │
│ 1100 → 1099 → ... → 1001 │
│ 每次-1，间隔300ms │
│ 总共100次检测，耗时30秒 │
│ (1100-1001) × 300ms = 29.7s │
└─────────────────────────────────┘
↓
count = 1001 (触发阈值)
↓
count = -1 (重置为默认)
↓
┌─────────────────────────────────┐
│ 稳定后慢速监测阶段 │
│ 间隔10s │
│ 节省功耗 │
└─────────────────────────────────┘
↓
if (diff_temp > switch_temp) // 温差升高
↓
count = 0 (重新启动快速监测)
↓
┌─────────────────────────────────┐
│ 异常快速监测阶段 │
│ 间隔300ms │
│ 持续监测温度变化 │
└─────────────────────────────────┘代码实现：
c
static void uscp_set_interval(struct uscp_device_info *di,
struct uscp_temp_info *temp_info)
{
int tdiff = temp_info->diff_usb_bat;
// 温差异常 → 立即切换快速监测
if (tdiff > di->interval_switch_temp) {
di->check_interval = MONITOR_INTERVAL_FAST; // 300ms
di->check_count = CHECK_COUNT_START_VAL; // 0
return;
}
// 充电前30秒密集监测 (1100→1001)
if (di->check_count > CHECK_COUNT_END_VAL) { // >1001
di->check_count -= CHECK_COUNT_STEP_VAL; // -1
di->check_interval = MONITOR_INTERVAL_FAST; // 300ms
}
// 密集监测结束 → 切换慢速
else if (di->check_count == CHECK_COUNT_END_VAL) { // =1001
di->check_count = CHECK_COUNT_DEFAULT_VAL; // -1
di->check_interval = MONITOR_INTERVAL_SLOW; // 10s
}
// 温差升高后恢复正常 → 继续快速监测
else if (di->check_count >= CHECK_COUNT_START_VAL) { // ≥0
di->check_count += CHECK_COUNT_STEP_VAL; // +1
di->check_interval = MONITOR_INTERVAL_FAST; // 300ms
}
// 正常慢速监测
else {
di->check_interval = MONITOR_INTERVAL_SLOW; // 10s
di->protect_mode = false;
power_wakeup_unlock(di->protect_wakelock, false);
}
}4.3 直充安全停止
场景：直充功率可达100W，短路时必须安全关闭避免危险
流程：
c
// 1. 设置停止标志
dc_set_stop_charging_flag(true);
// 2. 等待直充完全停止
while (true) {
state = direct_charge_get_stage_status();
if (direct_charge_get_stop_charging_complete_flag() &&
((state == DC_STAGE_DEFAULT) || (state == DC_STAGE_CHARGE_DONE)))
break;
}
// 3. 清除停止标志
dc_set_stop_charging_flag(false);
// 4. 判断适配器类型 (首次检测)
if (di->first_in) {
if (state == DC_STAGE_DEFAULT) {
if (direct_charge_detect_adapter_again())
uscp_set_dc_adapter(di, false);
else
uscp_set_dc_adapter(di, true);
} else if (state == DC_STAGE_CHARGE_DONE) {
uscp_set_dc_adapter(di, true);
}
di->first_in = false;
}
// 5. 关闭适配器输出
if (uscp_get_dc_adapter(di)) {
ret = dc_set_adapter_output_enable(0);
if (!ret) {
uscp_set_dc_adapter(di, false);
msleep(200); // 等待适配器关闭
}
}4.4 MOSFET控制
双模式支持：GPIO直接控制 / Pinctrl间接控制
c
static void uscp_set_gpio_switch(struct uscp_device_info *di, int value)
{
// 模式1: 使用Pinctrl (推荐)
if (di->use_pinctrl) {
if (value == GPIO_SWITCH_OPEN)
power_pinctrl_config_state(di->dev, "mos_en_on");
else
power_pinctrl_config_state(di->dev, "mos_en_off");
return;
}
// 模式2: 直接GPIO控制
gpio_set_value(di->gpio_uscp, value);
// value=1: 拉高GPIO → 开MOSFET → 断开充电路径
// value=0: 拉低GPIO → 关MOSFET → 闭合充电路径
}五、DTS配置示例
5.1 完整配置
dts
huawei_uscp: huawei,usb_short_circuit_protect {
compatible = "huawei,usb_short_circuit_protect";
status = "ok";
/* USB温度阈值 (°C) */
uscp_threshold_tusb = <40>;
/* 温差阈值 (°C) */
open_mosfet_temp = <15>; // 开MOSFET温差 (重度短路)
open_hiz_temp = <12>; // 开HIZ温差 (轻度短路)
close_mosfet_temp = <5>; // 关MOSFET温差 (恢复正常)
interval_switch_temp = <8>; // 切换快速监测温差
/* DMD配置 */
dmd_hiz_enable = <1>; // 使能HIZ模式DMD上报
/* GPIO配置 (MOSFET控制) */
gpio_usb_short_circuit_protect = <&gpio25 3 0>;
/* Pinctrl配置 (可选，优先级高于GPIO) */
use_pinctrl;
pinctrl-names = "default", "mos_en_on", "mos_en_off";
pinctrl-0 = <&gpio_uscp_default>;
pinctrl-1 = <&gpio_uscp_high>;
pinctrl-2 = <&gpio_uscp_low>;
};5.2 参数说明
| 参数 | 含义 | 典型值 | 说明 |
|---|---|---|---|
| uscp_threshold_tusb | USB温度阈值 | 40°C | 低于此温度不检测短路 |
| open_mosfet_temp | 开MOSFET温差 | 15-20°C | 重度短路保护 |
| open_hiz_temp | 开HIZ温差 | 12-15°C | 轻度短路保护 |
| close_mosfet_temp | 关MOSFET温差 | 5-8°C | 恢复正常充电 |
| interval_switch_temp | 切换快速监测温差 | 8-10°C | 触发快速监测 |
| dmd_hiz_enable | HIZ DMD使能 | 0/1 | 是否上报HIZ事件 |
| use_pinctrl | 使用Pinctrl | - | 优先使用Pinctrl控制MOSFET |
5.3 温差梯度设计
温差 (T_usb - T_bat)
↑
20°C┤ (极端短路，快速断开)
│
15°C┤───── open_mosfet ───── 断开MOSFET + HIZ
│
12°C┤───── open_hiz ───────── 仅HIZ模式
│
10°C┤
│
8°C ┤───── switch_temp ────── 切换快速监测 (300ms)
│
5°C ┤───── close_mosfet ───── 恢复充电路径
│
0°C ┤───── 正常充电 ──────────
└──────────────────────────→ 时间六、故障诊断
6.1 DMD上报类型
c
enum dmd_error_type {
// NTC异常: 温度超出-30~100°C范围
POWER_DSM_ERROR_NO_USB_SHORT_PROTECT_NTC,
// 短路保护: MOSFET断开
POWER_DSM_ERROR_NO_USB_SHORT_PROTECT,
// HIZ保护: 仅HIZ模式
POWER_DSM_ERROR_NO_USB_SHORT_PROTECT_HIZ,
};6.2 DMD上报内容
c
// NTC异常
"uscp ntc error happened, tusb=105, tbatt=35"
// 短路保护 (MOSFET)
"uscp happened, tusb=55, tbatt=35"
// 解释: USB温度55°C，电池35°C，温差20°C触发MOSFET保护
// HIZ保护
"uscp happened, open hiz, tusb=50, tbatt=35"
// 解释: USB温度50°C，电池35°C，温差15°C触发HIZ保护6.3 调试接口
sysfs节点：
bash
# 查看当前参数
cat /sys/kernel/debug/power/uscp/para
# 输出:
# uscp_threshold_tusb=40
# open_mosfet_temp=15
# close_mosfet_temp=5
# interval_switch_temp=8
# 运行时调整参数 (格式: tusb open close switch)
echo "40 18 6 10" > /sys/kernel/debug/power/uscp/para6.4 状态查询接口
c
// 外部模块查询USCP状态
bool uscp_is_in_protect_mode(void); // 是否处于保护模式
bool uscp_is_in_rt_protect_mode(void); // 实时保护模式
bool uscp_is_in_hiz_mode(void); // HIZ模式七、典型应用场景
7.1 USB接口进水短路
场景：雨天充电，USB接口进水导致VCC与GND短路
处理流程：
T=0s: 充电器插入，启动监测
T=2s: start_work启动，check_count=1100
T=2.3s: 第1次检测: T_usb=30°C, T_bat=28°C, diff=2°C (正常)
T=2.6s: 第2次检测: T_usb=35°C, T_bat=28°C, diff=7°C (升温)
T=2.9s: 第3次检测: T_usb=42°C, T_bat=28°C, diff=14°C
→ diff > switch_temp (8°C), 切换快速监测
→ T_usb≥40 && diff≥open_hiz (12°C)
→ 启用HIZ模式，上报DMD_HIZ
T=3.2s: 第4次检测: T_usb=48°C, T_bat=29°C, diff=19°C
→ T_usb≥40 && diff≥open_mosfet (15°C)
→ 停止直充 (如有)
→ 断开MOSFET
→ 持有wakelock
→ 上报DMD_MOSFET
T=3.5s: 第5次检测: T_usb=52°C (继续升温，但充电已停止)
T=60s: 用户拔出充电器，擦干USB接口
T=120s: 重新插入充电器
T=122s: start_work启动
T=122.3s: T_usb=32°C, T_bat=30°C, diff=2°C
→ diff≤close_mosfet (5°C)
→ 闭合MOSFET，禁用HIZ，释放wakelock
→ 恢复正常充电7.2 充电线内部短路
场景：劣质充电线内部绝缘层破损，间歇性短路
表现：
T=0s: 充电器插入，T_diff=3°C (正常)
T=30s: 密集监测结束，切换10s慢速监测
T=150s: 充电线弯折，内部短路，T_diff=12°C
→ 启用HIZ模式
→ 切换300ms快速监测
T=151s: 短路消失，T_diff=4°C
→ 禁用HIZ模式
→ 继续快速监测观察
T=180s: 温差稳定在3°C，恢复10s慢速监测7.3 高温环境充电
场景：夏季车内温度50°C，电池温度45°C
策略：
T_usb=48°C, T_bat=45°C, diff=3°C
→ T_usb≥40°C 但 diff<open_hiz (12°C)
→ 不触发短路保护 (温差正常)
→ 正常充电，由temp_control模块限流八、与其他模块协作
8.1 依赖接口
| 模块 | 接口 | 用途 |
|---|---|---|
| power_temp | power_temp_get_average_value | 获取USB接口温度 |
| battery_temp | bat_temp_get_temperature | 获取电池温度 |
| power_platform | power_platform_set_charge_hiz | 控制HIZ模式 |
| direct_charge | dc_set_stop_charging_flag | 停止直充 |
| direct_charge | dc_set_adapter_output_enable | 关闭适配器输出 |
| power_dsm | power_dsm_report_dmd | 上报DMD故障 |
| power_event | power_event_bnc_register | 监听充电事件 |
| power_wakeup | power_wakeup_lock | 持有唤醒锁 |
8.2 事件交互
charge_monitor (充电管理)
↓ POWER_NE_CHARGING_START
uscp_event_notifier_call
↓ 延迟2s
uscp_start_work
↓ 判断充电器类型
uscp_check_work (周期任务)
↓ 检测短路
uscp_process_protection
↓ 控制HIZ + MOSFET
power_platform / direct_charge (执行保护)8.3 状态通知
c
// USCP对外提供状态查询接口
extern bool uscp_is_in_protect_mode(void);
extern bool uscp_is_in_rt_protect_mode(void);
extern bool uscp_is_in_hiz_mode(void);
// 其他模块可查询USCP状态调整充电策略
if (uscp_is_in_hiz_mode()) {
// HIZ模式下限制充电电流
set_charge_current(500); // 限流500mA
}九、电源管理
9.1 Suspend处理
c
static int uscp_suspend(struct platform_device *pdev, pm_message_t state)
{
// 1. 取消所有延迟任务
cancel_delayed_work_sync(&di->start_work);
cancel_delayed_work_sync(&di->check_work);
// 2. 保持保护状态 (MOSFET/HIZ状态不改变)
// 目的: 系统休眠时继续保护，防止短路损坏
return 0;
}9.2 Resume处理
c
static int uscp_resume(struct platform_device *pdev)
{
unsigned int type = charge_get_charger_type();
// 仅在充电器在位时恢复监测
if (type == SDP || type == DCP || type == FCP || ...) {
schedule_delayed_work(&di->check_work, 0);
}
return 0;
}9.3 Wakelock策略
c
// 短路保护期间持有唤醒锁
if (protect_mode) {
power_wakeup_lock(di->protect_wakelock, false);
// 目的: 防止系统休眠，确保监测温度恢复
}
// 温差恢复正常后释放
if (diff_temp <= close_mosfet_temp) {
power_wakeup_unlock(di->protect_wakelock, false);
}十、关键技术要点
10.1 温差算法优势
- 环境自适应：通过温差判断，自动适应不同环境温度
- 误报率低：正常高温充电（如夏天）不会误触发
- 灵敏度高：短路导致的局部发热能快速检测
10.2 监测频率优化
充电阶段 监测间隔 持续时间 总检测次数 功耗
─────────────────────────────────────────────────
初始30s 300ms 30s 100次 高
稳定期 10s 长期 6次/分钟 低
异常期 300ms 持续异常 200次/分钟 高优势：
- 初期密集监测快速响应
- 稳定后节省功耗
- 异常时自动加速
10.3 多级保护策略
短路程度 温差 保护措施 风险等级
────────────────────────────────────────────────────────
正常充电 <5°C 无保护 无
轻微异常 5-8°C 快速监测 低
温度升高 8-12°C 快速监测 + HIZ模式 中
轻度短路 12-15°C HIZ模式限流 中高
重度短路 >15°C HIZ + MOSFET断开 + 停直充 高10.4 直充安全机制
问题：直充功率高达100W，短路时必须安全停止 方案：
- 设置停止标志 (防止重启)
- 轮询等待直充完全停止
- 关闭适配器输出
- 延迟200ms确保断电
- 断开MOSFET物理隔离
10.5 GPIO vs Pinctrl
c
// 方案1: GPIO直接控制 (简单)
gpio_set_value(gpio_uscp, 1); // 拉高GPIO
// 方案2: Pinctrl控制 (灵活，推荐)
power_pinctrl_config_state(dev, "mos_en_on");
// 优势:
// - 支持复杂引脚复用
// - 统一管理引脚状态
// - 减少GPIO资源占用十一、故障排查指南
11.1 常见问题
问题1：正常充电时频繁触发短路保护
原因分析:
- 温差阈值设置过低 (open_mosfet_temp < 10°C)
- USB温度传感器异常 (读取偏高)
- 环境温度过高导致基线升高
解决方案:
1. 调高温差阈值: open_mosfet_temp=18°C
2. 校准USB温度传感器
3. 检查DMD记录确认实际温度问题2：真实短路时未触发保护
原因分析:
- 温差阈值设置过高
- 监测频率过慢 (未在30s内检测到)
- MOSFET硬件故障
解决方案:
1. 降低温差阈值: open_mosfet_temp=12°C
2. 增加密集监测时间 (check_count=2000)
3. 检查MOSFET电路问题3：短路保护后无法恢复充电
原因分析:
- close_mosfet_temp设置过低 (无法满足)
- 温度未真正回落
- MOSFET卡死在开路状态
解决方案:
1. 调高恢复阈值: close_mosfet_temp=8°C
2. 检查温度传感器读数
3. 重新初始化MOSFET GPIO11.2 日志分析
bash
# 正常充电日志
[uscp] handle charger_type=3
[uscp] start uscp check
[uscp] tusb=32, tbatt=30, tdiff=2
[uscp] diff_temp=2, switch_temp=8, interval=300, count=1099
# 短路保护日志
[uscp] tusb=50, tbatt=32, tdiff=18
[uscp] diff_temp=18, switch_temp=8, interval=300, count=0
[uscp] enable charge hiz
[uscp] disable adapter output success
[uscp] pull up mosfet
[uscp] uscp happened, tusb=50, tbatt=32
# 恢复充电日志
[uscp] tusb=35, tbatt=31, tdiff=4
[uscp] disable charge hiz and pull down mosfet十二、总结
核心价值
- 安全保护：防止USB接口短路导致烧毁或起火
- 智能监测：自适应频率调整，兼顾响应速度与功耗
- 多级防护：HIZ + MOSFET + 直充停止三重保护
- 环境自适应：温差算法自动适应不同环境温度
技术亮点
- 温差算法：通过USB-电池温差检测局部短路发热
- 自适应频率：初期30s密集监测 → 稳定后10s慢速 → 异常时300ms快速
- 直充安全停止：轮询等待 + 延迟确认，确保100W大功率安全停止
- 双重隔离：HIZ模式(软件) + MOSFET开关(硬件)
- Wakelock保护：短路期间防止系统休眠，确保持续监测恢复
适用场景
- 进水短路：雨天/水下充电接口进水
- 线材短路：劣质充电线内部绝缘破损
- 异物短路：USB接口内金属异物导通VCC-GND
- 高功率充电：100W直充时的短路保护
设计哲学
- 预防为主：充电初期30秒密集监测，快速发现隐患
- 分级响应：轻度异常HIZ限流，重度短路完全断开
- 安全至上：短路期间持有wakelock，确保持续保护
- 用户无感：正常充电不影响性能，异常时自动处理